半导体论文（优秀7篇）

半导体论文 篇一

【关键词】 半夏泻心汤；小柴胡汤；伤寒论；随证加减；灵活运用

【中图分类号】R2222 【文献标志码】 A 【文章编号】1007-8517（2016）20-0001-03

The Analysis of the Relationship between Banxia Xiexin Decoction and Xiaochaihu Decoction

GONG Jie

Nanjing University of Chinese Medicine，Nanjing 220000，China

Abstract：Banxia Xiexin decoction and Xiachaihu decoction come out of Treatise on Febrile Diseases written by ZHANG Zhongjing.They have many similar parts in pathogenesis，primary syndrome， the use of herbs， the way of decoction and modern clinical applications，etc，although they they may be quite different in primary symptom.So the paper put forward such a new point that Banxia Xiexin decoction is changed from Xiaochaihu decoction and discuss it from the Treatise on Febrile Diseases，the decoction of herbs，pathogenesis，primary syndrome，herbs and modern clinical applications.This fully reflects theflexible way of ZHANG Zhongjing exploring nature from the phenomenon.This way has guiding significance to add and subtract with the certificate in clinical.

Keywords：Banxia Xiexin Decoction； Xiaochaihu Decoction；Treatise on Febrile Diseases； Add and Subtract with The Syndrome； Flexible Use

半夏泻心汤与小柴胡汤皆是出自《伤寒论》的现代临床常用方，但在很多教材中因划分的依据不同而未将两者紧密联系起来，因此初学者很难将两者联系起来进而探知两者之间的关系。笔者将从伤寒原文、病机主症、应用、药物组成、煎法来探析两方的关系，从而揭示仲景在《伤寒论》中从现象中探本质、灵活善变的遣方用药原则，对理解和运用临床方药随证加减有一定的指导意义。

1 探析半夏泻心汤与小柴胡汤关系

11 小柴胡汤之变方――半夏泻心汤 原文149条：“伤寒五六日，呕而发热者，柴胡汤证具，而以他药下之，柴胡汤证仍在者，复与柴胡汤，此虽已下之，不为逆，必蒸蒸而振，却发热汗出而解。若心下满而硬痛者，此为结胸也，大陷胸汤主之；但满而不痛者，此为痞，柴胡不中与之，宜半夏泻心汤。”

原文149条主要辨小柴胡汤误下后的三种转归以及治疗，其一为复与柴胡汤，其二为大陷胸汤，其三即为该条文重点引出的半夏泻心汤。从条文中可以看出疾病最初“伤寒五六日，呕而发热”乃邪入少阳，应属小柴胡汤证而医者误用他药引起的变化[1]。既然是由小柴胡汤证发展而来，半夏泻心汤的药物又与小柴胡汤高度重合，那么张仲景在选方用药是否是直接在小柴胡汤的基础上加减得来的呢？若是按此思路推断，大陷胸汤同为变证也应由小柴胡汤加减而来，可实际上两者的药物却无一相同，这又该如何解释？

如若从病机以及病势来分析，上述问题便可迎刃而解。病机分析：大陷胸汤，“心下满而硬痛”为水热互结于胸膈，治宜泻热逐水破结，显然小柴胡汤的功效已不适合；半夏泻心汤，“满而不痛”为寒热错杂、中焦痞满、升降失司（脾寒胃热、胃不弱肠不足），治宜寒热同调、散结消痞，与小柴胡汤和解少阳、调达枢机的治法在本质上是相通的，也正因此《方剂学》将两者同归于和解剂类[2]。病势分析：大陷胸汤满而痛，半夏泻心汤满而不痛，在病势上前者明显重于后者，因此后者由于病势较轻在选药仍可以沿用小柴胡汤，而后者病势较重，小柴胡汤中的药物已经无法满足则需要重新选药。故从经文的联系上，可推出半夏泻心汤是小柴胡汤变方的观点。

12 病机主症及应用 原文96条：“伤寒五六日中风，往来寒热，胸胁苦满，嘿嘿不欲饮食，心烦喜呕，或胸中烦而不呕，或渴，或腹中痛，或胁下痞硬，或心下悸、小便不利，或不渴、身有微热，或咳者，小柴胡汤主之。”经文例举了往来寒热、胸胁苦满、嘿嘿不欲饮食、心烦喜呕等小柴胡汤证的主症，充分应证了其邪犯少阳、胆火内郁、枢机不利之病机。

原文149条中可知半夏泻心汤证乃小柴胡汤证误下导致少阳邪热乘虚内陷，致寒热互结，脾寒胃热升降失司，而成心下痞。以心下满而不痛，呕恶，肠鸣下利为主症（痞、呕、利三大主症）。

“满”是痞证的主要特点之一，那么小柴胡汤主症中所提胸胁苦满之“满”是否与之相同呢？在此只能说两者在本质上是相同的，都描述患者满闷的自觉症状，都可以算作“痞”，不同点在于两者病位不同：一个病在胸胁另一个则在心下。

两方单独应用时所治疾病也有相同，如消化性溃疡、功能性消化不良、慢性腹泻、胆囊炎、慢性乙型肝炎等。此外，小柴胡汤与半夏泻心汤合用化裁以治疗各种胃脘疾病，如慢性萎缩性胃炎、胆汁反流性胃炎等，也同样取得很好的疗效[3-4]。

半夏泻心汤与小柴胡汤在病机、主症、应用上的相同之处，都可以用来论证本文的观点；而不同之处也可以通过从疾病发生发展的趋势分析得出半夏泻心汤证乃小柴胡汤证基础发展而来的观点。

13 药物组成 半夏泻心汤中药物：黄连、干姜、黄芩、半夏、人参、大枣、炙甘草。

小柴胡汤中药物：柴胡、生姜、黄芩、半夏、人参、大枣、炙甘草。

从药物组成来看，半夏泻心汤可以是直接由小柴胡汤易柴胡为黄连，易生姜为干姜而来。这样的观点是否成立呢？接下来就从两者用药的不同以及相同之处分别论证。

小柴胡汤证中有“心烦喜呕”症状，则以生姜半夏为伍和胃降逆止呕，并取生姜走表之性以引邪达表；方中柴胡为君，性苦平入肝胆经，透泄少阳之邪，并能疏泄气机之郁滞，使少阳之邪得以疏散，柴胡与黄芩相伍一散一清、升降并用、邪正兼顾乃和解少阳之基本配伍。半夏泻心汤则将小柴胡汤的生姜换干姜，此做法是根据疾病的病机而做出的选择即取干姜走里且可驱里寒的功效特点，而相比之下生姜为解表药功在发汗且可引邪达表不适用于半夏泻心汤的脾寒之根本；方中以黄连代替柴胡，则是以黄连与黄芩相伍泄热开痞、降泻心火，而不取柴胡之和解枢邪的功效。加减药物之后，半夏泻心汤之半夏、干姜与黄芩、黄连配伍则达寒热平调、辛开苦降之功，体现舍性取用的配伍特点[5]。从以法统方的角度来说，通过小柴胡汤简单加减后得到的半夏泻心汤，其治法与病机完全相应。

小柴胡汤证与半夏泻心汤证两者病机中都有脾胃失和、升降失司，因此半夏泻心汤保留有人参、大枣、炙甘草以益气健脾、扶正祛邪。

如此分析之后，半夏泻心汤是在小柴胡汤基础上直接加减而来的是可以说得通的，而仲景的思路也可由此推测一二。

14 去滓再煎 《伤寒论》原文中两方的煎法同为“煮取六升，去滓，再煎，取三升”。纵观全书，使用“去滓再煎”[6]的方剂共七首：小柴胡汤、大柴胡汤、柴胡桂枝干姜汤、半夏泻心汤、生姜泻心汤、甘草泻心汤、旋覆代赭汤。到底什么是“去滓再煎”？张仲景又为何要对这七首方剂采用“去滓再煎”的方法呢？

所谓“去滓再煎”是用水煮中药待煎至总量一半时，去滓，后再继续煎至四分之一，通过此法可以达到和解少阳、调和寒热、表里双解的效果，故多用于治疗虚实并见的病证。

单纯从方剂的命名可将上述七首方简单分为以小柴胡汤为代表及在其基础上加减的方剂、以半夏泻心汤为代表治疗痞证的方剂。这样一来使用该煎法的方剂只有上述两类。

然而，后世学者对张仲景为何要使用去滓再煎法持有不同的观点。

最为常见也是目前各大教材所接受的观点――调和药性。去滓再煎在一定程度上延长了煎药的时间，有利于提高药物溶出量、加大调和药味的效果。但也有人对此提出了反对的意见，既然是调和药性以助和解之功且多用于和解剂，那么小柴胡汤与桂枝汤的合方柴胡桂枝汤，同样和解表里则也应用去滓再煎的煎法，而事实上并非如此，因此该观点也并不是无懈可击。还有其他很多观点，但每种观点都可举出一些例子来反驳。那么是否有这样的可能性？即张仲景在行医过程中发现小柴胡汤使用去滓再煎法后疗效更佳，便在写《伤寒论》时将小柴胡汤采用去滓再煎的方法记录其中，而在遇到半夏泻心汤证病人时发现其与小柴胡汤病证有相通之处，在“病症相应，药证相应”的指导原则下对小柴胡汤的治疗思路的做出调整，原方药物基础上加减药味便有了半夏泻心汤，在《伤寒论》的后期整理时研究半夏泻心汤证后将之归类于痞证。这样一来，半夏泻心汤是由小柴胡汤加减而来的，同属一源，便直接沿用了去滓再煎的煎法。这样既能解决后世医家对该法的争论，也可以证明半夏泻心汤是小柴胡汤的加减方的观点。

2 探讨临床方药随证加减

21 随证加减 临床治疗的疗效往往与医者选方用药的精准有着密切联系，而中医学理论体系素以辨证为核心。如果辨证不清，组方思路、用药再精准也无法取得临床预期的疗效，此则体现了辨证的重要性。因此临床医家临床用药多以“随证加减”为首要指导原则。

“随证加减”并不是意味着随意加减药味，而依然要遵循“主证不变主药不变”的基本方法。以《伤寒论》中的桂枝汤为例加以说明。桂枝汤由桂枝、芍药、甘草、生姜、大枣组成，具有解肌发表调和营卫的功效，主治外感风寒表虚证。在此证的基础上若见“项背几几，反汗出”则加葛根，达升津舒经之效；若肌表不和，痰饮咳喘者，则加厚朴、杏仁，达降逆平喘之效；若因误下而兼见胸满，则去芍药，以解肌散邪。此外随证加减也包括药量、剂型的变化。

22 灵活运用 “随证加减”乃是中医理论体系中浓重的一笔，在临床用药的指导中也有着不可替代的地位。但临床上有很多医者以此为终身奉行之圣，恪守于此，此种想法便不可取了。

《素问・阴阳应象大论》言：“故重阴必阳，重阳必阴”，揭示了阴阳互根，万物消长的原理。遣方用药“随证加减”本身并没有错，以此为指导原则也没有错，但物极必反，若过分拘泥该法而不知灵活变通便有失偏颇。只要把握疾病的病因病机及发生发展过程，有时运用“随症加减”也未尝不可。即善从现象探求本质、灵活善变的思想，此则与“异病同治，同病异治”有异曲同工之妙。而上文中对于小柴胡汤和半夏泻心汤两者关系的论证过程更能体现这一观点，若是仲景一味拘泥于随证加减的原则，那么两种不同的证是不可能采用同样的方的。古人云：不以规矩不能成方圆；但同样有人提出：体无常规，言无常宗，物无常用，景无常取。灵活善辨才是中医辨证施治的核心思想。

3 结语

半夏泻心汤与小柴胡汤同为千古名方，也为后世临床之常用方。通过从伤寒原文、病因病机及运用、方药组成、煎法（去滓再煎）四方面探析两方之间的关系，可初步证实半夏泻心汤确实是小柴胡汤的加减方的观点。深入了解两方之间关系后，在今后的临床中无论是对两方各自单独加减还是合方加减应用都有一定的指导意义。通过论证半夏泻心汤乃小柴胡汤之变方的观点，更能揭示《伤寒论》是一部理论联系实际的辨证论治的经典之作，而仲景本人更是善用从现象中探求本质、灵活变通的组方用药之法，这对临床医者对随证加减的理解和灵活运用有很大的指导意义。

参考文献

[1]李赛美，李宇航。 伤寒论讲义[M]. 北京：人民卫生出版社，2015：177-184.

[2]李冀。 方剂学[M]. 北京：中国中医药出版社，2015：60-68.

[3]戴海东，郑孟林，张正才。 小柴胡汤合半夏泻心汤加减治疗慢性萎缩性胃炎[J]. 浙江中医西结合杂志，2012，20（12）：775.

[4]高海，刘茂祥。半夏泻心汤合小柴胡汤治疗反流性胃炎50例[J].中国民间疗法，2009，17（7）：34.

半导体材料设计 篇二

【关键词】宽带半导体材料 电子机构 性质

Ⅱ-Ⅲ2-Ⅳ4型三元化合物，为具有缺陷黄铜矿结构的宽带半导体材料，材料电子机构优化性强，弹性以及光学性质好，用于光学设备乃至电光器件等的制造中，在提高设备性能方面，价值显著。本文以密度泛函理论为基础，对缺陷黄铜矿结构半导体CdAl2S4的电子机构、弹性及光学性质进行了分析：

1 宽带半导体材料模拟计算方法

以密度泛函理论为基础进行模拟计算。将CdAl2S4拆分开来，分为Cd、Al以及S三个部分，三者的价电子组态存在一定差异，Cd电子组态为4d105s2、Al电子组态为3s23p2、S电子组态为3s23p4。电子与电子之间存在的交换关联势，以PBE泛函作为基础进行描述。参数设计情况如表1。

从表1中可以看出，半导体材料参数如下：

（1）动能截断值：500eV。

（2）布里渊区k点网格8×8×4。

（3）原子作用收敛标准：10-3eV/A。

（4）自洽精度：10-6eV/atom。

2 宽带半导体材料的电子机构与性质

2.1 宽带半导体材料的电子机构

从晶格结构、能带结构方面，对宽带半体材料CdAl2S4的电子机构进行了研究：

2.1.1 晶格结构

宽带半导体材料CdAl2S4的原子中，不同原子的空间占位不同，具体如表2。

考虑不同原子在空间占位方面存在的差异，应首先采用晶格优化的方法，提高材料结构本身的稳定性，CdAl2S4的晶格结构参数以及键长如下：Cd-S键长2.577、Al1-S键长2.279、Al2-S键长2.272。a实验值2.553，计算值5.648。

2.1.2 能带结构

宽带半导体材料CdAl2S4的能带结构如图1。

图1显示，宽带半导体材料CdAl2S4的价带主要由三部分所构成，分别为低价带、高价带与最高价带：

（1）低价带：低价带即能量最低的价带，包括S的s态以及Al的s态等部分，通过对半导体材料CdAl2S4的低价带的观察可以发现，S与Al两者中所包含的原则，具有较高的结合性质。

（2）高价带：与低价带相比，高价带的能量相对较高，判断与Cd原子有关。观察图1可以看出，半导体材料CdAl2S4高价带Cd-d态的局域性较强。

（3）最高价带：最高价带的能量最高，一般在-5.4-0eV之间，该价带包括上下两部分，两部分所包含的能态各不相同。以导带部分为例，其能态一般在3.395eV-6.5eV之间。

2.2 宽带半导体材料的性质

从弹性性质、光学性质两方面，对宽带半导体材料CdAl2S4的性质进行了分析：

2.2.1 弹性性质

晶体相邻原子的成键性质等，与弹性性质存在联系。从宽带半导体材料CdAl2S4的各向异性因子，该材料的弹性性质呈现各向异性的特点。

宽带半导体材料CdAl2S4的延展性与脆性，与弹性同样存在联系，简单的讲，材料的延展性与弹性呈正相关，材料脆性与弹性，则呈负相关。通常情况下，材料的延展性与脆性如何，可以采用体模量与剪切模量之间的比值来确定，当两者之间的比值在1.75以下时，说明材料的延展性较差，脆性较强，弹性性质较差。相反，当两者之间的比值在1.75以上时，则说明材料的延展性较强，脆性较弱，弹性性质较强。

通过对宽带半导体材料CdAl2S4体模量与剪切模量之间的比值的计算可以发现，比值为1.876，较1.75大，可以认为，该材料的延展性较强，脆性较弱，弹性性质较强。

2.2.2 光学性质

半导体材料的光学性质，属于其物理性质中极其重要的一方面，在光学仪器等的研制过程中，对半导体材料的光学性质十分重视。宽带半导体材料CdAl2S4的本质来看，该材料晶体为四方晶系单光轴晶体，各向异性显著。

将光谱能量确定为0-20eV，对材料的光学性质进行了研究，发现半导体材料CdAl2S4的光子能量在3.5eV以下以及12.5eV以上的区域，而不存在在两者之间，可以认为，该材料晶体的光学性质具有各向异性。另外，研究显示，该材料的反射系数可达到0.85，强放射峰在紫外区域，可以认为，宽带半导体材料CdAl2S4具有紫外探测以及紫外屏蔽的光学性质。

3 讨论

宽带半导体材料CdAl2S4电子机构相对稳定，延展性较强，脆性较弱，弹性性质较强，具有紫外探测以及紫外屏蔽的光学性质。未来，应对宽带半导体材料的性质进行进一步的研究，以开发出该材料的更多功能，确保其价值能够得到更好的发挥。

4 结论

鉴于宽带半导体材料CdAl2S4在电子机构以及弹性性质和光学性质方面存在的特点及优势，可以将其应用到紫外探测以及紫外屏蔽等材料的研制过程中，使之优势能够得到充分的发挥，为社会各领域的发展发挥价值。

参考文献

[1]张丽丽，马淑红，焦照勇。宽带隙半导体CdAl_2S_4电子结构、弹性和光学性质的研究[J].原子与分子物理学报，2016（02）：357-361.

[2]陈芳，魏志鹏，刘国军，唐吉龙，房丹，方铉，高娴，赵海峰，王双鹏。扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展[J].材料导报，2014（23）：28-33.

[3]冯琳琳，顾鹏程，姚奕帆，董焕丽，胡文平。高迁移率聚合物半导体材料[J].科学通报，2015（23）：2169-2189.

作者单位

半导体材料设计 篇三

关键词：化合物半导体材料；GaAs;GaN;SiC

中图分类号：TP331文献标识码：A 文章编号：1009-3044(2010)05-1238-02

On The Compound Semiconductor Materials

HAO Bin, WEN Kai

(Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300160,China)

Abstract: Compound semiconductor integrated circuits with ultra-high speed, low power, multi-functional, anti-radiation properties is widely used, GaAs, GaN, SiC as the main application of compound semiconductor materials. This article describes the advantages of compound semiconductor materials, and from GaAs, GaN, SiC formed part of the device.

Key words: semiconductor materials; GaAs;GaN; SiC

目前，半导体器件已被广泛应用到各个领域中。但是随着科技的发展，由于硅的电子移动速度使得硅电路传输速度慢并且难以改善。因此新型半导体材料由此产生，以GaAs、GaN、SiC为代表的的化合物半导体是目前应用最广泛、发展最快。

1 化合物半导体材料优势

化合物半导体集成电路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗辐射。以GaAs为例，通过比较可得：1化合物半导体材料具有很高的电子迁移率和电子漂移速度，因此，可以做到更高的工作频率和更快的工作速度。2肖特基势垒特性优越，容易实现良好的栅控特性的MES结构。3本征电阻率高，为半绝缘衬底。电路工艺中便于实现自隔离，工艺简化，适合于微波电路和毫米波集成电路。4禁带宽度大，可以在Si器件难以工作的高温领域工。现在化合物半导体材料已广泛应用：在军事方面可用于智能化武器、航天航空雷达等方面，另外还可用于手机、光纤通信、照明、大型工作站、直播通信卫星等商用民用领域。

2 化合物半导体器件

GaAs、GaN、SiC为主要应用的化合物半导体材料。以下介绍由这三种材料构成的部分器件。

2.1 GaAs材料

高电子迁移率晶体管(HEMT)器件实在能形成2DEG的异质结上用类似MESFET的工艺制成的场效应晶体管。源漏之间主要由2DEG的导电沟道提供，由势垒层上的肖特基栅施加偏压来改变耗尽区的厚度，从而控制沟道2DEG的浓度及器件的工作状态(如图1)。对这类器件若VGS=0时沟道中已有电子存在，则器件是耗尽型的；若沟道被耗尽则器件是增强型的。I-V特性为强电场下工作的耗尽型HEMT和增强型HEMT都呈现出平方规律的饱和特性。

AlGaAs/GaAs HEMT的制作基本工序：在半绝缘GaAs衬底上生长GaAs缓冲层 高纯GaAs层 n型AlGaAs层 n型GaAs层台面腐蚀隔离有源区制作Au/Ge合金的源、漏欧姆接触电极干法选择腐蚀去除栅极位置n型GaAs层淀积Ti/Pt/Au栅电极。(如图2)

图1 GaAs HEMT中2-DEG图2 GaAs HEMT基本结构图3 PHEMT的基本结构

随后发现由于n-AlGaAs层存在一种所谓DX中心的陷阱，它能俘获和放出电子，使得2-DEG浓度随温度而改变，导致阈值电压不稳定。为了解决这个问题，采用非掺杂的InGaAs代替非掺杂的GaAs作为2-DEG的沟道材料制成了赝高电子迁移率晶体管。InGaAs层厚度约为20nm,能吸收由于GaAs和InGaAs之间的晶格失配(约为1%)而产生的应力，在此应力作用下，InGaAs的晶格将被压缩，使其晶格常数大致与GaAs与AlGaAs的相匹配，成为赝晶层。因为InGaAs薄层是一层赝晶层且在HEMT中起着 i CGaAs层的作用，所以成为“赝”层，这种HEMT也就相应地成为赝HEMT。

2.2 GaN材料

2.2.1 GaN基HEMT

目前GaN基HEMT器件的主要结构是基于AlGaN/GaN异质结的HEMT器件。由于极化效应，AlGaN/GaN异质结很容易出现2DEG,因此有常见工艺生长的绝大部分HEMT器件是属于耗尽型的。在尽量提高沟道2DEG浓度且保持其迁移率和速度，同时又不引起势垒应变弛豫的原则下，应用于HEMT器件的AlGaN/GaN异质结的结构参数已经优化到一个范围(势垒层的Al含量为0.2~0.3,厚度为20~30nm)。除此之外GaN基HEMT的器件还有以下特性：1) 缓冲层漏电小即缓冲层呈高阻态且缺陷密度小形成高的输出阻抗；2) 高的击穿电压，对提高器件的输出功率和功率开关的电压承受能力非常重要；3) 跨导高且和栅压保持良好的线性关系，这与器件的频率特性和开关速度相关；4) 好的夹断特性； 5) 较高的截止频率；6) 良好的散热能力。GaN基HEMT的主要工艺为台面刻蚀、肖特基接触和欧姆接触。

2.2.2 GaN基HBT

异质结双极性晶体管器件具有宽带隙发射区，大大提高了发射结的载流子注入效率；基区可以高掺杂(可高达1020cm-3),基区电阻rb可以显著降低，从而增加 fmax ;同时基区不容易穿通，从而厚度可以做到很薄，即不限制器件尺寸缩小；发射结浓度可以很低(约1017cm-3),从而发射结耗尽层电容大大减小，器件的 fT 增大。GaN基HBT可研发为微波功率放大器件或高压开关器件，其目标特性为高射极注入系数、长的少子寿命、短的基区渡越时间、高击穿电压。

2.3 SiC材料

SiC基结型场效应晶体管(JFET)和肖特基栅场效应晶体管(MESFET)

SiC基MESFET和JFET的沟道载流子的等效迁移率比较高，因此SiC基MESFET主要被开发为微波功率器件，而JFET则是高压功率开关器件。SiC基MESFET可以用于X波段以下的微波频段，其性能优势为线性化程度比较理想，输出阻抗高，从而大大降低对匹配网络的要求，降低了制作和设计成本。SiC基JFET具有超低RSP,也能在较高和较低温度以及较高频率下工作。

3 结束语

化合物半导体集成电路和普通半导体集成电路相比具有明显的优势，适合于高频高速电路的要求。并且化合物半导体可以发光，可以实现光电集成。因此化合物半导体有更广泛的发展空间。

参考文献：

[1] 何杰，夏建白。半导体科学与技术[M].北京：科学出版社，2003.

[2] 李效白。砷化镓微波场效应管及其集成电路[M].北京：科学出版社，2005.

[3] 谢永贵。超高速化合物半导体器件[M].北京：宇航出版社，2006.

半导体论文 篇四

日本四团体共同制定的《照明用白色LED测光方法通则》为目前唯一针对照明用白光发光二极管(LED)所制定的测量标准，本文将对其内容进行介绍及分析，以供读者及有关产、学、研部门参考。 白光LED标准出炉 随着LED研发技术的突飞猛进，已被许多人视为充满潜力的新世代主要照明光源，然而LED具有与传统照明光源截然不同的空间发光特性，使原本适用于传统光源光学特性测量的方式未必适用于LED，如光通量(Luminous Flux)、光强度(Luminous Intensity)及色度(Chromaticity)测量，否则LED的测量精度及准度都将成问题。因此，全球各大标准协会均修订或是新增LED测量标准，但由于LED封装种类繁多，性能也各不相同，所以也有协会针对不同用途的LED制定新的测量标准以国际照明委员会(Commission Internationale de l'Eclairage；CIE)为例，其在2007年大幅修订原有的LED测量技术文件CIE-127，但因诸多争议，仍有诸多测量问题待解决，而由美国能源部(DOE)所主导，其配合固态照明产品的推广进程，由美国国家标准学会(ANSI)与北美照明学会(IESNA)所组成的标准制定小组，正在进行固态照明灯具相关测试标准的制订，（本报上期B7版文章已经对此进行介绍），其中包括旋光性量测、色度量测以及寿命评估等标准，但这些标准的特点在于其内容是将固态照明灯具视作一整体来评价，也就是说，LED单体无法由这些标准的规范来作测量。 我国近年来也致力于半导体发光器件标准的推动，在政府的支持下，已推出半导体发光器件测试方法，而其它相关标准也正在进行审议中。 然而在照明用白光LED标准的推动方面，进展最快的国家是日本，其中日本照明学会(JIES)、日本照明委员会(JCIE)、日本照明器具工业会(JIL)以及日本电球工业会(JEL)在2011年已订出四团体共同标准《照明用白色LED测光方法通则》，成为目前唯一针对照明用白光LED所订定的测量标准，其在初版时就已率先制订数项未曾规范过的项目，如标准LED之制造、小型模块光强度的测量法以及寿命评估方式等。 有鉴于LED的测量方式有所进展且标准的内容仍有扩充空间，四团体于2006年3月公布此标准的修订版，增加且修订原先的标准内容，在色度学的量测以及光通量的量测方式等作出更详细的规范。然基于谨慎的心态，有许多部分仍然是被放在附属部分而非实际标准的一部分，不过，其在相关规范的说明仍十分详细，就现阶段国际所能查到的LED标准文献，此标准可说是内容最完整的规范。在目前产业界仍然缺乏适当的通用LED测量规范情况下，该标准将会是一个非常重要的参考依据。下面重点介绍此标准的重要规定，以及修订版的增补部分。|中华勵志网|| 适用范围限于照明用白光LED 该标准在一开始的标题上，就已宣告适用范围仅限于照明用白光LED，其认为将测量目标限定于照明用白光LED，以限定与标准LED比较的测量方法能有效提升测量精度，且对于标准LED的内容作出很详细的规定。在光强度的测量部分，则依照国际照明委员会所规定的标准条件进行测量；在光通量的测量部分，则一律使用积分球(Integrating Sphere)测量，并在修订版中增加色度、相关色温(Correlated Color Temperature；CCT)、显色性指数(Color Rendering Index；CRI)等的测量方法，且原则上使用积分球作为其入射光学系统。 本标准主要是针对单体LED制定的规范，但其对于小型的LED模块光强度的测量也纳入规范，对于小型LED模块而言，其不一定适用于CIE标准条件所规定的平均LED光强度的测量方法。

半导体材料设计 篇五

【关键词】半导体材料；发展；现状

半导体材料这一概念第一次被提出是在二十世纪，被维斯和他的伙伴考尼白格首次提及并使用，半导体材料从那时起便不断的进步发展，伴随着现代化的生活方式对一些数字产品的应用需求，社会对半导体材料推出了更高的要求，这使得半导体材料得到了飞跃性的发展【1】。本篇论文就半导体材料的概念性理解，半导体材料的历史性发展，新一代半导体材料的举例以及发展应用现状等方面展开了基本论述，谈论我国在半导体材料这一领域的应用与发展的实际情形。

1.对半导体材料的概念性理解

对半导体材料的理解不能脱离当今二十一世纪这个有着高需求和高速度特点的时代，这个时代同时也是崇尚环保观念，倡导能源节约的时代，因此新的信息时代下半导体的发展要脱离以往传统的发展模式，向新的目标迈进。

首先，我们要了解什么是半导体材料，这将为接下来的论述打下概念性的基础。众所周知，气体，液体，固体等状态都可称之为物质的存在状态，还有一些绝缘体，绝缘体是指导热性或者导电性较差的物质，比如陶瓷和琥珀，通常把F，银，金，铜等导热性和导电性较好的一类物质成为导体，所以顾名思义，半导体既不属于绝缘体，也不属于导体，它是介于导体和绝缘体性质之间的一种物质【2】。半导体没有导体和绝缘体发现的时间早，大约在二十世纪三十年代左右才被发现，这也是由于技术原因，因为鉴定物质的导热性和导电性的技术到了一定的时期才得到发展，而且对半导体材料的鉴定需要利用到提纯技术，因此，当对物质材料的提纯技术得到升级到一定水平之后，半导体的存在才真正意义上在学术界和社会上被认可。

2.半导体材料的历史发展及早期应用

对半导体材料的现代化研究离不开对这一材料领域的历史性探究，只有知道半导体材料是怎样，如何从什么样的情形下发展至今的，才能对当今现代半导体材料形成完整的认识体系。对半导体材料的接触雏形是先认识到了半导体材料的四个特性。论文接下来将会具体介绍，并对半导体材料早期应用做出详细解释。

2.1半导体材料发现之初的特性

半导体材料第一个被发现的特性，在一般的情况之下，金属材料的电阻都是随着温度的升高而增加的，但是巴拉迪，这位英国的科学研究学者发现硫化银这一物质的电阻随着温度的升高出现了降低的情况，这就是对半导体材料特性的首次探索，也是第一个特性。

半导体材料的第二个特性是由贝克莱尔，一位伟大的法国科学技术研究者发现的，他发现电解质和半导体接触之后形成的结会在施加光照条件之下产生一个电压，这是后来人们熟知的光生伏特效应的前身，也是半导体材料最初被发现的第二个特性。

半导体材料的第三个特性是由德国的科学研究学者布劳恩发现的，他发现一些硫化物的电导和所加电场的方向有着紧密的联系，也就是说某些硫化物的导电是有方向性的，如果在两端同时施加正向的电压，就能够互相导通，如果极性倒置就不能实现这一过程，这也就是我们现在知道的整流效应，也是半导体材料的第三个特性。

半导体材料的第四个特性是由英国的史密斯提出的，硒晶体材料在光照环境下电导会增加，这被称作光电导效应，也是半导体材料在早期被发现的第四个特性【3】。

2.2半导体材料在早期的应用情况

半导体材料在早期被应用在一些检测性质的设备上，比如由于半导体材料的整流效应，半导体材料被应用在检波器领域。除此之外，大家熟知的光伏电池也应用了早期的半导体材料，还有一些红外探测仪器，总之，早期被发现的半导体材料的四个重要的特性都被应用在了社会中的各个领域，半导体材料得到初步的发展。

直到晶体管的发明，使得半导体材料在应用领域被提升到一个新的高度，不再仅仅是应用在简单的检测性质的设备中或者是电池上，晶体管的发明引起了电子工业革命，在当今来看，晶体管的发明并不仅仅只是带来了这一电子革命，最大的贡献在于它改变着我们的生活方式，细数我们现在使用的各种电器产品，都是有晶体管参与的。因此晶体管的发明在半导体材料的早期应用发展上有着举足轻重的位置，同时也为今后半导体材料的深入发展做足了准备，具有里程碑式的意义与贡献【4】。

3.现代半导体材料的发展情况

以上论文简单的介绍了半导体材料以及其早期的发现与应用，接下来就要具体探讨第三代半导体材料这一新时代背景下的产物。第三代半导体材料是在第一和第二代半导体材料的发展基础之上衍生出的更加适应时代要求和社会需要的微电子技术产物。本篇论文接下来将介绍我国半导体材料领域的发展情况，并介绍一些新型的半导体材料的应用与发展情况。

3.1我国半导体材料领域的发展情形

半导体材料的发展属于微电子行业，针对我国的国情和社会现状，我国微电子行业的发展不能急于求成，这将会是一个很复杂的过程，也必定是一个长期性的工程。从现在半导体材料发展的情况来看，想要使半导体材料更加满足受众的需求，关键要在技术层面上寻求突破。我国大陆目前拥有的有关半导体材料的技术，比如IC技术还只能达到0.5微米，6英寸的程度，相较于国际上的先进水平还有较大的差距。

虽然我国目前在半导体材料领域的发展水平与国际先进水平存在着较大的差距，但是这也同时意味着我国在半导体材料领域有着更大的发展空间和更好的前景，而且当今不论是国内环境还是国际环境，又或者是政治环境影响下的我国的综合性发展方面而言，对中国微电子行业半导体领域的发展还是十分有利的，相信我国在半导体材料这一领域一定会在未来有长足的发展。

3.2新型半导体材料的发展介绍

前文提到，第三代半导体材料如今已经成为半导体材料领域的主要发展潮流，论文接下来将会选取几种关键的三代半导体材料展开论述。

第一种是碳化硅材料。它属于一种硅基化合物半导体材料，这一类材料的优越性体现在其较其他种类半导体材料有着更强的热导性能。因此被应用在广泛的领域，比如军工领域，，也会被应用在太阳能电池，卫星通信等领域。

第二种是氧化锌材料。氧化锌材料被广泛的应用到了传感器和光学材料领域中，这是因为它具备一些关键性的特性，集成度高，灵敏度高，响应速度快等，这些特征恰恰是传感等应用范围广泛的领域中所看中的关键点，不仅如此，氧化锌半导体材料不仅性能好，而且这类材料的原料丰富，所以价格低廉，还具有较好的环保性能【5】。

4.结语

近年来，半导体照明产业得到了飞跃式的发展，被越来越广泛的应用到人们的日常生活中，而支撑这一产业的核心材料正是以碳化硅等半导体材料为主的某些微电子材料，半导体材料利用下的各项技术已经在全球范围内占领者新的战略高地。我国半导体材料领域虽然起步晚，发展水平较国际水平有差距，但是前景光明，尤其是第三代半导体材料的出现和应用，在人们的生活中有着更加广泛和有建设性的应用，改变着人们的生活方式，不断推动着半导体材料的发展。

参考文献：

[1]甘倩。浅谈LED路灯在城市道路照明中的应用[J].建筑工程技术与设计，2014，（12）：477-477.

[2]黄裕贤。浅谈157nm激光微加工工艺及自动化编程[J].科学与财富，2015，（7）：560-560.

[3]胡凤霞。浅谈半导体材料的性能与应用前景[J].新教育时代电子杂志（教师版），2016，（13）：267.

[4]张利学，孙维国，吕衍秋等。InAs/GaSbⅡ类超晶格材料台面腐蚀[J].红外与毫米波学报，2014，33（5）：472-476.

半导体论文 篇六

我校微电子科学与工程专业是在应用物理学专业微电子方向的基础上，于2009年提出申请，同年9月经陕西省教育厅批准，于2010年增设的，专业代码为080704，属于工学大类，电子信息类。学制四年，授予理学学士学位。本专业培养具备微电子科学与工程专业扎实的自然科学基础、系统的专业知识和较强的实验技能与工程实践能力，能在微电子科学技术领域从事研究、开发、制造和管理等方面工作的专门人才。

二、微电子科学与工程的专业特征

通过实验、技能训练和到实习基地顶岗实习，本专业毕业生应具备以下能力：（1）掌握数学、物理等方面的基本理论和基本知识；（2）掌握固体电子学、微电子器件和集成电路设计与制造等方面的基本理论和基本知识，掌握集成电路和其他半导体器件的分析与设计方法，具有独立进行版图设计、器件性能分析的基本能力；（3）了解相近专业的一般原理和知识；（4）熟悉国家电子产业政策、国内外有关的知识产权及其他法律法规；（5）了解VLSI和其他新型半导体器件的理论前沿、应用前景和最新发展动态，以及微电子产业发展状况；（6）掌握资料查询、文献检索及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法；具有一定的实验设计，创造实验条件，归纳、整理、分析实验结果，撰写论文，参与学术交流的能力。微电子科学与工程专业具备以下特征：兼容性：本专业是理工兼容的专业，融合了物理学、化学、电子学、材料科学、计算机科学、集成电路设计制造学等多个学科的基本知识、基础理论；交叉性：微电子科学与工程专业是超净、超纯、超精细加工等多种技术交叉的基础上发展起来的学科；基础性：微电子科学与工程专业是电子科学技术、信息科学技术、计算机科学技术的先导和基础，是发展现代高新技术和国民经济现代化的重要基础。

三、学科建设的实践与探索

学科建设是一个长期积累、不断提高的过程，重在建设和积累。我们在建设过程中以教学团队为抓手，以课程群为载体，以课堂教学为主渠道，以深化改革为手段，以培养学生实践创新能力、持续提高教学质量为目标。将教学团队建设、课程群建设和教学改革紧密结合，作为系统工程整体推进，实现成效的最大化。教学团队建设、师资队伍建设和青年教师培养相结合。教学团队从师资队伍中产生，不能孤立于师资队伍建设之外，师资队伍建设需要高水平教学团队的带领和引导，需要传帮带。为了使教学团队具备坚实的基础，同时发挥其辐射引领作用，必须提高教师的整体教学水平和大面积教学质量，必须大力狠抓师资队伍建设，对于开办时间不长的新专业而言，更要特别注重新进青年教师的培养。首先，理念引导，认识到位。我们始终坚持教学是人才培养的第一要务的宗旨，确立了教学的重要地位，为了把教学这个良心活做好，我们在教学活动中一再强调换位思考，希望任课教师要像当年要求自己的教师那样要求自己，以对学生、学校、家长、专业、社会高度负责的态度讲好每一节课。教师们教学态度端正、认识到位，责任心强，这是搞好教学工作的前提。其次，建立长效机制。通过建立一系列行之有效的规章制度、运行机制和政策措施，如青年教师培训培养机制、教学信息交流反馈机制、资源经验共享互用机制，通过互相听课、针对性听课、随机听课、学生评教等渠道了解、检查教师的教学情况，做到有问题及时反馈、沟通并督促限期整改。针对新近开办专业青年教师多的现状，我们着力培养青年教师的教学基本功，定期、不定期召开青年教师座谈会，交流治学、教学、科研经验，要求他们跟班听课并要听不同教师的讲课，博采众长。同时，要求青年教师根据工作需要，结合个人特长选定主讲课程（至少两门），扎实练就教学基本功。鼓励和支持年轻教师到国内外进修学习，加速他们的成长。

1.课程群建设、教学团队建设与课堂教学相结合。

教学团队不能脱离课程而单独存在，课程群需要高水平的教学团队去建设。目前课堂教学仍是本科教学的主渠道，因此必须将课程群建设、教学团队建设融入课堂教学，才能把建设落到实处，并在具体的课堂教学中体现建设效果。微电子教学团队和课程组认真研究了半导体物理、半导体器件、集成电路设计原理等这几门课程之间的区别、联系、共性和互补性，对传统的教学内容进行了整合、改革，以促进各课程之间的相互渗透、优势互补和资源共享，更好地处理理论教学、实验教学和实际应用之间的关系。把教学团队和课程群建设的成果有效地落实到课堂教学中，接受课堂和学生的检验，并做到互相促进，增强了整体效果。

2.课程建设与科学研究、教学研究、教学改革相结合。

只有深入开展教学研究，才能有效地推进教学改革和课程建设。我们对教学研究常抓不懈，常研常新，从教学内容、教学方法、教学手段和方案实施等方面全方位抓起，不断深化教学研究和教学改革。对于课程内容的研究与改革，从宏观上把握课程的科学体系和各部分之间的关系、理清主线、抓住要点；从微观上对教材的具体内容进行深入研究，如MOS场效应管与现行手机屏之间的关系，由于和实际生活非常近，非常受学生的欢迎。教学方式与手段的研究与改革方面，可以阅读科学史和科学家传记，从中受到启发，如杨振宁的老师泰勒水平很高，但往往无暇备课，上课时总是现想现推，有时就会陷入困境或误入歧途，恰恰是在他摆脱困境和纠错的探索中，让细心的学生有机会亲眼看到老师的思维过程和分析、解决问题的方法。这是鲜活的问题解决式教学，泰勒是无意的，有经验的教师难道不可以有意而为吗？教学的关键和难处在于揭示前人的发现过程和思想脉络，这就需要任课教师了解相关的历史和教育学原理，在发挥教师主导作用的同时，通过提问、专题讨论等方式活跃课堂气氛，促使学生积极思考，让其从知识的被动接受者转变为主动参与者和纠结探索者，发挥学生的主体作用。进而微电子科学与工程专业的教师把自己现有的纵横向科研课题带入课堂教学中去，让学生感受科学研究的氛围，并通过专业课程的熏陶培养学生的科学美感。

3.理论教学、模拟实验、实验教学与生产实践相结合。

实践性教学环节包括：认识实践、毕业实践和毕业设计等几方面。加强实践教学环节，突出微电子学应用型人才培养特色。提高校内实验实践基地建设的规模与水平；加强与校外教学实践基地合作，提升校外合作教育基地的层次和联系紧密度，实行“双师型”教学模式，加强实践教学环节，提高学生的实践能力。形成先进的实践教学理念，坚持不断的实训，构建以学生为主体的实践教学模式，以取代传统的教师主体式的模式，构建主动适应社会发展所需人才的培养体系。加大力度组织学生参加各类科技竞赛，力求每年参与创新创业实践和学科竞赛活动的学生比例逐年递增的趋势。生产实践是学生学以致用、锻炼能力、增强创新的重要活动，通过不断加强实验性、实践性、应用性、创新性教育环节，使学生自己体验学、用微电子的乐趣，有效地提高了学生的实践能力和创新意识。

四、结语

半导体论文 篇七

【关键词】高新企业；税收筹划；税制改革

1引言

为扶持和鼓励高新技术企业，我国不断加大对高新技术企业的税收减免力度。高新技术企业根据国家出台的税收减免政策，进行合理的税务筹划，可以促进企业利润增长，增加企业经济效益[1]。青岛鼎新半导体公司为山东省一家高新技术企业，对其税收筹划措施进行总结，可以深入了解国家的税收政策，可以分析合理避税对我国的税收和经济效益产生的影响，并提出我国税制改革的有关建议。

2鼎新公司简介

青岛鼎新半导体公司为一合资公司，其股东分别为：山东创投公司、青岛资本控股公司、北京信息产业公司。股权比例分别为：60%、30%、10%。青岛鼎新半导体公司的经营范围主要是：生产和销售集成电路、芯片以及计算机其他硬件，软件研发等。青岛鼎新半导体公司所辖的全资子公司有2家，分别是山东微电子公司、青岛进出口公司。参股子公司仅1家，为青岛科技开发公司。其中，山东省进出口公司为该公司的第一大股东，股权占比为78%；青岛鼎新半导体公司为该公司的第二大股东，股权占比为22%。

3鼎新公司税收筹划方案

3.1积极申请将鼎新公司认定为高新技术企业。根据科技部、财政部、国家税务总局印发的《高新技术企业认定管理办法》的规定，高新技术企业是指：在《国家重点支持的高新技术领域》内，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心自主知识产权，并以此为基础开展经营活动，在中国境内（不包括港、澳、台地区）注册一年以上的居民企业[2]。按照文件要求，鼎新公司竭力满足条件：第一，拥有自主知识产权的产品。2010年6月份，青岛鼎新半导体公司在黄岛区注册成立。近三年来，鼎新公司先后自主研发了“资源利用平台数据库管理系统技术”“打印机硒鼓技术”。其中，“资源利用平台数据库管理系统技术”是将建筑垃圾和生活垃圾进行收集处理，以及水泥和钢材等建材网上销售的管理信息系统，年可为地方政府增加税收10亿元，2018年该软件荣获了“中华人民共和国国家版权局计算机软件著作权登记证书”。“打印机硒鼓技术”是该公司研究制造出的拥有自主知识产权的硒鼓，2018年申请取得了发明专利，荣获了“实用新型专利证书”。第二，上述两种产品均属于《国家重点支持的高新技术领域》规定的范围。其分别隶属于“电子信息技术”中的“软件—系统软件”类、“计算机及网络技术—各类计算机设备技术”类。第三，人员学历符合法定要求。截至2019年底，该公司职工总数为216人，其中大学专科以上学历的科技人员总数为95人，占企业职工总人数的44%，远超文件所规定的30%的要求，超14个百分点；科技人员中的研发人员总数为38人，占企业职工总人数的17.6%，也远超文件所规定的10%的要求，超7.6个百分点。第四，研发费用总额占销售收入总额的比例符合文件要求。2017年、2018年和2019年这三年来的研发费用总额为910万元，2019年该公司销售收入为1.8亿元。三年研发费用的总额占最近一年（2019年）销售收入的比例为5.1%，高于文件所规定的4%的要求，超1.1个百分点。以上研发费用均是在青岛市黄岛区发生的，占公司总研发费用的100%，符合文件所规定的“比例不低于60%以上”的要求。第五，上述两种高新技术产品的销售收入占该公司2019年度销售总收入的100%，符合文件所规定的“60%以上”的要求。第六，经过第三方中介机构的评估，该公司研究开发高新技术产品的组织管理水平和科技成果转化的能力是较强的。其自主知识产权的数量已达到15件，且近三年来该公司的销售收入和总资产的增长率每年均在10%以上。上述指标均符合《高新技术企业认定管理工作指引》的要求。该公司积极上报高新技术企业认定材料。经过专家审查认定并公示，该公司为高新技术企业。2020年2月1日，颁发了“高新技术企业证书”，有效期三年。《税法》规定，高新技术企业税收优惠政策主要有以下四个方面：一是集成电路类和软件类的高新技术企业在计算清缴企业所得税时，可以选择按照25%的所得税税率减半征收。二是对高新技术企业转让技术取得的技术转让收入课以企业所得税时，其起征点提高至500万元；超过500万元的部分，减半征收。三是提高高新技术企业研发费用、职工教育经费的扣除标准，提高高新技术企业固定资产前期的折旧价值。四是降低高新技术企业境外所得征收税率[3]。

3.2巧妙在保税港区注册公司。《税法》规定：凡是注册地在保税港区内的企业，企业之间因销售货物而取得的销售收入，对这部分收入既不征收增值税，也不征收消费税；保税港区内的企业将其货物销往保税港区外而取得的货物销售收入，对这部分收入不征收出口关税[4]。根据上述税收政策的规定，青岛鼎新半导体公司在青岛保税港区注册成立了两家企业，分别是青岛科技开发公司、青岛进出口公司。这样该两家公司之间销售货物时，其增值税和消费税均会免征；其货物销往保税港区外时，关税便会免征。

3.3生产企业平价销售。青岛科技开发公司为生产型企业，主要生产电子元器件产品等。其在保税区生产基地生产的元器件以成本价销售给青岛进出口公司。根据税收优惠政策，保税区内两企业之间的产品销售无需缴纳关税和增值税。同时，青岛科技开发公司将其所生产的产品平价销售给青岛进出口公司，青岛科技开发公司没有盈利，也免缴了企业所得税。

3.4出口企业加价销售。青岛进出口公司将上述产品加价15%，然后销售给青岛科技开发公司香港分公司。

4上述税收筹划的经济分析

第一，增值税退税增加了企业现金流。青岛进出口公司在销售产品时，享受增值税“先征后退”的“退税”政策，增值税缴纳后，税务部门是会根据税收政策及时予以退税的。企业收到退税款后，降低了税负，促进了企业发展[5]。青岛进出口公司为收购货物出口的外贸企业，适应增值税出口退税“先征后退”的办法。自2020年2月1日至8月1日这6个月的时间里，该进出口公司出口电子元器件实现产品销售收入总计0.73亿元，收取退税款950万元。鉴于“先征后退”政策仅适用于外贸企业以及实行外贸企业财务制度的工贸企业收购货物后出口，因此，也只有青岛进出口公司出口上述货物才能赚取这额外的资金，而对于青岛科技开发公司和青岛鼎新半导体公司来说，即便是也同样出口上述货物，却是不会赢得这950万元的隐藏利润的。第二，实现了利润保全。从企业盈利的角度看，产品通过这样的方式进行销售，其利润均保留在母公司青岛鼎新半导体公司内，使企业盈利增加，利润值上升。若是青岛科技开发公司直接加价出售有关产品，则实现的产品销售利润会按照股权比例进行分成，即青岛鼎新半导体公司仅能分配22%的利润。从青岛进出口公司上述6个月实现的利润来看，这6个月里，该公司实现利润总计1670万元。因为青岛进出口公司为青岛鼎新半导体公司的全资子公司，因此，上述利润全部归结为母公司，青岛鼎新半导体公司利润激增1670万元。而青岛科技开发公司尽管在这6个月里也实现了销售收入0.73亿元，但由于其平价销售，收支平衡，利润为0，其两个母公司———山东省进出口公司和青岛鼎新半导体公司只能眼睁睁地看着利润流向了青岛进出口公司。当然最终，利润却是全部流进了小股东——青岛鼎新半导体公司的腰包。第三，企业所得税减半征收。青岛进出口公司为青岛鼎新半导体公司的全资子公司。根据所得税汇算清缴的有关政策，青岛进出口公司的所得税在其母公司青岛鼎新半导体公司汇总清缴。鉴于青岛鼎新半导体公司为高新技术企业，这样，该母公司在缴纳企业所得税时是可以选择按照25%的税率减半征收的，达到了合理筹划税收的目的。根据青岛鼎新半导体公司汇总的财务报表看，2020年2月至8月，该公司实现利润2520万元，其中所辖的全资子公司青岛进出口公司实现利润1670万元。上缴企业所得税315万元。通过上述分析可知，由于鼎新公司成功被评为高新技术企业，故其应缴纳的企业所得税由630万元减为315万元，节约资金315万元。

5启示与建议

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